分类：

用途：根据使用，它分为大功率LED芯片和低功耗LED芯片;

颜色：主要分为三种类型：红色，绿色，蓝色（白光原料）;

形状：一般分为方形件和圆形;

尺寸：小功率芯片一般分为8mil，9mil，12mil，14mil等。

切片尺寸：

高功率LED芯片有三种尺寸提供：38 * 38mil，40 * 40mil和45 * 45mil。当然，芯片尺寸是可定制的。这只是一个常见的规范。米尔是一个单位的尺寸，米尔是千分之一英寸。40mil差不多1毫米。38mil，40mil和45mil是1W高功率芯片的常用规格。

理论上，芯片越大，它可以承受的电流和功率越大。然而，芯片材料和过程也是影响芯片功率的主要因素。例如，CREE40MIL芯片可以承受1W至3W，并且相同尺寸的其他芯片可承受高达2W。

发光亮度：

一般亮度：R（红色GaAs P655NM），H（高红色GAP697MM），G（绿色GAP565NM），Y（黄色GAASP / GAP585NM），E（橙色GaASP / GAP635nm）等;

高亮度：VG（打火机绿色差距565nm），VY（打火机黄色GaASP / GAP585nm），SR（打火机红色Gaa / As660nm）;

超高亮度：UG，UY，UR，UYS，URF，UE等

二进制晶片（磷，镓）：h，g等;

三元晶片（磷，镓，砷）：Sr（亮红色Gaa / As 660 nm），HR（超亮红色Gaalas 660nm），UR（亮红色Gaalas 660 nm）等;

第四纪晶片（磷，铝，镓，铟）：SRF（明亮红藻镓，HRF（超亮红藻），URF（明亮的红色藻类），VY（亮黄色GaASP / GAP585nm），HY（超级亮黄藻nP595nm），UY（最亮的黄藻谷物NP59595NM），UY（最亮黄藻藻藻），UE（最亮的橙色藻类），他（超级明亮橙色algalnp620nm），UG（最亮的绿色AIGALNP574nm）LED等

基质：

衬底材料的选择是用于制造LED芯片的主要考虑因素。应该使用哪种合适的基板取决于器件和LED器件的要求。三个衬底材料：蓝宝石（Al2O3），硅（Si），碳化硅（SiC）。

蓝宝石衬底：

蓝宝石的优势：1。成熟的生产技术和良好的设备质量;2.良好的稳定性，可用于高温生长过程;3.机械强度高，易于处理和清洁。

蓝宝石不足：1。格子不匹配和热应力不匹配，将在外延层中产生大量缺陷;2.蓝宝石是绝缘体，在上表面制造两个电极，导致有效发光区域的减少;加入光刻和蚀刻工艺，制造成本高。

硅是良好的热量，因此可以显着改善装置的导热率，从而延长了装置的寿命。

电极是碳化硅基板的LED芯片（CREE专用于作为基板的SIC材料），电极是L型电极，电流纵向流动。使用这种基板制造的装置具有非常好的电和导热性能，这有利于大区域的大型电力装置的制造。优点：碳化硅的导热率为490W / m·k，其比蓝宝石基材高10倍以上。不足：制造碳化硅的成本很高，并且它的商业化需要降低相应的成本。

LED功能：

（1）四元芯片由MOVPE工艺制备，亮度比传统芯片更亮。

（2）优异的可靠性。

（3）广泛的应用。

（4）高安全性。

（5）寿命长。

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