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LED芯片基础知识介绍

- 2019年11月23日

基本内容


led发光芯片是led灯的核心部件,也称为P-N结。它的主要功能是把电能转换成光能。芯片的主要材料是单晶硅。半导体晶片由两部分组成,一部分是p型半导体,其中以空穴为主,另一端是n型半导体,这里主要是电子。但当这两个半导体连接在一起时,它们就形成了一个pn结。当电流通过导线加到晶圆上时,电子被推向P区。在P区,电子与空穴重新结合,然后能量以光子的形式释放出来。这就是LED照明的原理。光的波长,即光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。

2 .芯片功能编辑

1.定义:金属粘接(metal bonding)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特点:(1)采用散热系数高的材料——硅作为基材,散热容易。导热系数GaAs: 46W/m-KGaP: 77W/m-K Si: 125-150W/m-K Cupper: 300~400W/ m-K


(2)外延层和衬底通过金属层结合,反射光子以避免衬底吸收。(3)导电Si衬底取代了GaAs衬底,导热性好(导热系数相差3 ~ 4倍),更适合于高驱动电流场。(4)底部金属反射层有利于提高发光度和散热。(5)尺寸可增加,适用于大功率领域,如:42milMB。


2. GB芯片定义和特性定义:胶粘剂(胶粘剂)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特点:(1)透明蓝宝石基板替换光吸收GaAs基板,其光输出功率大于常规(可吸收结构)芯片的两倍。蓝宝石衬底类似于TS芯片的间隙基板。(2)芯片在所有四个侧面发光并具有出色的图案。(3)在亮度方面,整体亮度超过了TS芯片(8.6密耳)的水平。(4)双电极结构,其在高电流电阻方面略微不如TS单电极芯片。


3.定义:透明结构(透明基板)芯片,是惠普公司的专利产品。特点:(1)芯片工艺复杂,远高于ASLED。(2)优秀的可靠性。(3)透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高。(4)应用范围广。


4.AS芯片定义及特性


定义:可吸收结构(吸收基板)芯片;经过近40年的发展努力,台湾LED光电子产业对这类芯片的开发、生产和销售已处于成熟阶段,各大公司在这方面的研发水平基本相同。水平,差距不大。大陆芯片制造业起步较晚,其亮度和可靠性与台湾产业仍有一定差距。这里我们讨论的是AS芯片,特别是UEC AS芯片,如:712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM- VR, 709symvr等。特点:(1)采用MOVPE工艺制备的四元芯片,亮度比常规芯片更亮。(2)优秀的可靠性。(3)应用范围广。


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